01 · Cleanliness
청정성Cleanliness
진공 챔버용 부품은 미량 오염도 용납되지 않습니다. 10⁻⁷ Torr 환경에서 탈가스 처리하여, 장비 설치 후 초기 베이킹 시간을 단축합니다.
나노 단위의 품질은 진공에서 시작됩니다. 10⁻⁷ Torr 환경에서 탈가스·경면 유지·초저변형을 동시에 달성합니다.
미량 오염·변형·로트 편차 — 반도체 공정에서는 모두 수율의 적입니다. 각 요구를 수치로 관리합니다.
진공 챔버용 부품은 미량 오염도 용납되지 않습니다. 10⁻⁷ Torr 환경에서 탈가스 처리하여, 장비 설치 후 초기 베이킹 시간을 단축합니다.
로트 간 편차는 곧 수율 편차입니다. 모든 배치를 초 단위로 기록하고, 동일 레시피의 10년 이후 재현성을 보증합니다.
정밀 조립 부품은 μm 단위 변형도 치명적입니다. 박판·복잡 형상에 대응하는 15 bar 고압 가스 냉각으로 변형을 억제합니다.
반응성 가스·플라즈마 노출 환경에서 산화 스케일은 치명적입니다. 진공 환경에서 산화 없이 경면을 유지합니다.
장비사·파운드리·OSAT 각 단계에서 요구되는 부품에 대응합니다.
반도체 장비 부품에 가장 적합한 공정 조합입니다. 소재·요구 물성에 따라 세부 조정됩니다.
반도체 장비에서 요구되는 대표 소재군. 이 외에도 사전 협의로 대응 가능합니다.
반도체 장비사에서 요구하는 대표 규격. 세부 조건은 문의 시 안내드립니다.
소재·수량·요구 물성·납기만 알려주세요. 반도체 전담 엔지니어가 1영업일 내 회신합니다.