§ Industry 01 / 06 Semiconductor · 반도체

반도체Semiconductor

나노 단위의 품질은 진공에서 시작됩니다. 10⁻⁷ Torr 환경에서 탈가스·경면 유지·초저변형을 동시에 달성합니다.

§01 · Challenges

반도체가 요구하는 네 가지 기준.

미량 오염·변형·로트 편차 — 반도체 공정에서는 모두 수율의 적입니다. 각 요구를 수치로 관리합니다.

REQUIREMENTS
04 / 04
01 · Cleanliness

청정성Cleanliness

진공 챔버용 부품은 미량 오염도 용납되지 않습니다. 10⁻⁷ Torr 환경에서 탈가스 처리하여, 장비 설치 후 초기 베이킹 시간을 단축합니다.

02 · Repeatability

재현성Repeatability

로트 간 편차는 곧 수율 편차입니다. 모든 배치를 초 단위로 기록하고, 동일 레시피의 10년 이후 재현성을 보증합니다.

03 · Low Distortion

초저변형Low Distortion

정밀 조립 부품은 μm 단위 변형도 치명적입니다. 박판·복잡 형상에 대응하는 15 bar 고압 가스 냉각으로 변형을 억제합니다.

04 · Clean Surface

고내식 표면Clean Surface

반응성 가스·플라즈마 노출 환경에서 산화 스케일은 치명적입니다. 진공 환경에서 산화 없이 경면을 유지합니다.

§02 · Applications

취급 부품.

장비사·파운드리·OSAT 각 단계에서 요구되는 부품에 대응합니다.

COMPONENTS
SAMPLE
진공 챔버 부품 가스 분배 매니폴드 샤워헤드 서셉터 웨이퍼 핸들러 이송 아암 진공 플랜지 ESC 베이스 쿨링 플레이트 게이트 밸브 바디
§03 · Recommended Processes

추천 공정.

반도체 장비 부품에 가장 적합한 공정 조합입니다. 소재·요구 물성에 따라 세부 조정됩니다.

MOD-VAC · NT
02 / 03
MOD-VAC · REV.A
고진공 열처리
High Vacuum Heat Treatment
Temp1100 ~ 1300 ℃
Vacuum10⁻⁷ Torr
CleanClass 10K
공정 세부
MOD-NT · REV.A
상제어 진공 질화
Phase-Controlled Nitriding
Temp480 ~ 580 ℃
Layer0 ~ 20 μm
Use경면 내마모
공정 세부
§04 · Materials

취급 소재.

반도체 장비에서 요구되는 대표 소재군. 이 외에도 사전 협의로 대응 가능합니다.

ALLOYS
08 · EXTENDED
SUS630 17-4PH Inconel 718 Hastelloy C-276 Ti-6Al-4V Molybdenum Tantalum SUS316L
§05 · Standards

준수 규격.

반도체 장비사에서 요구하는 대표 규격. 세부 조건은 문의 시 안내드립니다.

SPEC · ISO · SEMI
03
ISO 9001 SEMI F47 Clean Room Class 10,000
Semiconductor · 24h reply

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